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MBD110DWT1分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MBD110DWT1 |
| 参数属性 | MBD110DWT1 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88 |
| 功能描述 | Dual Schottky Barrier Diodes |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 文件大小 |
64.3 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-23 11:46:00 |
| 人工找货 | MBD110DWT1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MBD110DWT1规格书详情
MBD110DWT1属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体公司制造生产的MBD110DWT1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
产品属性
更多- 产品编号：
MBD110DWT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
肖特基 - 2 个独立式
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
- 不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
SC-88/SC70-6/SOT-363
- 描述：
RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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97 |
3000 |
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