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MBD110DWT1分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

MBD110DWT1
厂商型号

MBD110DWT1

参数属性

MBD110DWT1 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

功能描述

Dual Schottky Barrier Diodes

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

180.91 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

MOTOROLA摩托罗拉

中文名称

加尔文制造公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-24 9:18:00

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MBD110DWT1规格书详情

Dual Schottky Barrier Diodes

Application circuit designs are moving toward the consolidation of device count and into smaller packages. The new SOT–363 package is a solution which simplifies circuit design, reduces device count, and reduces board space by putting two discrete devices in one small six–leaded package. The SOT–363 is ideal for low–power surface mount applications where board space is at a premium, such as portable products.

The MBD110DW, MBD330DW, and MBD770DW devices are spin–offs of our popular MMBD101LT1, MMBD301LT1, and MMBD701LT1 SOT–23 devices. They are designed for high–efficiency UHF and VHF detector applications. Readily available to many other fast switching RF and digital applications.

• Extremely Low Minority Carrier Lifetime

• Very Low Capacitance

• Low Reverse Leakage

产品属性

  • 产品编号:

    MBD110DWT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基 - 2 个独立式

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SC-88/SC70-6/SOT-363

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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