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C8030	文件：36.44 Kbytes Page：2 Pages	RG59/UTypeCoaxial&2/C18AWGSiameseCCTV-PlenumCable	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
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CEB8030L	文件：520.559 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,75A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP8030L	文件：520.559 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,75A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CHM8030LANPT	文件：219.83 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT75Ampere FEATURE Smallflatpackage.(D2PAK) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CZ8030	文件：40.6 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH	SPECTRUM
CZ8030	文件：41.54 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	APITECH API Technologies Corp	APITECH
DEM8030C	文件：124.32 Kbytes Page：2 Pages	8.3x8.3mmMax.square,3.0,4.0,and4.5mmMax.height.	Toko Toko Inc.	Toko
EG8030	文件：686.34 Kbytes Page：23 Pages	SPWMinverterspecificchip	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微电子屹晶微电子有限公司	EGMICRO
EPF8030G	文件：35.26 Kbytes Page：1 Pages	HighSpeedLANInterfaceModuleforQSI6611/6612	PCA PCA Electronics, Inc.	PCA
FDB8030L	文件：358.16 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogiclevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •80A,30V.RDS(ON)=0.0035Ω@VGS=10VRDS(ON)=0.0045Ω@VGS=4.5V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB8030L	文件：328.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDMC8030	文件：341.18 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelPowerTrench짰MOSFET40V,12A,10m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP8030L	文件：358.16 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogiclevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •80A,30V.RDS(ON)=0.0035Ω@VGS=10VRDS(ON)=0.0045Ω@VGS=4.5V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP8030L	文件：332.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FST8030	文件：87.28 Kbytes Page：3 Pages	80AmpRectifier20to45VoltsSchottkyBarrier Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
FYA-R8030ZX	文件：318.77 Kbytes Page：5 Pages	LEDBARGRAPHDISPLAY	FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd. 复洋宁波复洋光电有限公司	FORYARD
GSTU8030	文件：105.18 Kbytes Page：2 Pages	NPN300,350,400V8AMPSWITCHING	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IDTUS8030	文件：264.31 Kbytes Page：13 Pages	LOWPOWERDUALSPDTHI-SPEEDUSB2.0(480MBPS)SWITCH	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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