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PBSS8510PA	文件：290.47 Kbytes Page：16 Pages	100V,5.2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapability. PNPcomplement:PBSS9410PA. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturatio	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PM-8510	文件：292.81 Kbytes Page：12 Pages	10/100Base-TXISOLATIONTRANSFORMERSWITHFILTERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PMB8510P	文件：1.58788 Mbytes Page：32 Pages	DC/DCregulatorInput8.3-16VOutput16A ThePMBseriesofSILDC/DCregulators(POL)areintendedtobeusedaslocaldistributedpowersourcesindistributedpowerarchitecture.Thesinglein-linedesignmakesthePMBseriessuitableforapplicationswhereboardspaceislimited.ThehighefficiencyandhighreliabilityofthePMBserie	Ericsson Ericsson Microelectronics	Ericsson
PMC8510S	文件：1.79525 Mbytes Page：34 Pages	DC/DCregulatorInput8.3-16VOutput16A	Ericsson Ericsson Microelectronics	Ericsson
PNX8510	文件：3.06411 Mbytes Page：92 Pages	Analogcompanionchip Generaldescription ThePNX8510;PNX8511isananalogbackendcompanionchiptodigitalICsprocessingvideoandaudiosignals. TheprimarydifferencebetweenthePNX8510andthePNX8511is: •PNX8510includestheMacrovision™pay-per-viewcopyprotectionsystem •PNX8511doesnotincludeMacr	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSB8510	文件：2.31936 Mbytes Page：24 Pages	PROGRAMMABLEDIALINGCIRCUIT(PDC) ProgrammableDialingCircuit(PDC)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
PSB8510-X	文件：2.31936 Mbytes Page：24 Pages	PROGRAMMABLEDIALINGCIRCUIT(PDC) ProgrammableDialingCircuit(PDC)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
PSB8510-XP	文件：949.8 Kbytes Page：23 Pages	ProgrammableDialingCircuit ProgrammableDialingCircuit	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
PSMPSMR8510K	文件：113.75 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPowerDiode	MEDERStandex-Meder Electronics 斯丹麦德电子	MEDER
PSMPSMR8510L	文件：113.75 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPowerDiode	MEDERStandex-Meder Electronics 斯丹麦德电子	MEDER
SP8510	文件：167.57 Kbytes Page：12 Pages	12-BitSamplingA/DConverters DESCRIPTION… TheSP85XXSeriesarecomplete12-bitsamplingA/Dconvertersusingstate–of–the–artCMOSstructures.Theycontainacomplete12–bitsuccessiveapproximationA/Dconverterwithinternalsample/hold,reference,clock,digitalinterfaceformicroprocessorcontrol,andthree–stateoutpu	SipexSipex Corporation 西伯斯\|迈凌西伯斯公司	Sipex
SP8510KN	文件：167.57 Kbytes Page：12 Pages	12-BitSamplingA/DConverters DESCRIPTION… TheSP85XXSeriesarecomplete12-bitsamplingA/Dconvertersusingstate–of–the–artCMOSstructures.Theycontainacomplete12–bitsuccessiveapproximationA/Dconverterwithinternalsample/hold,reference,clock,digitalinterfaceformicroprocessorcontrol,andthree–stateoutpu	SipexSipex Corporation 西伯斯\|迈凌西伯斯公司	Sipex
SP8510KS	文件：167.57 Kbytes Page：12 Pages	12-BitSamplingA/DConverters DESCRIPTION… TheSP85XXSeriesarecomplete12-bitsamplingA/Dconvertersusingstate–of–the–artCMOSstructures.Theycontainacomplete12–bitsuccessiveapproximationA/Dconverterwithinternalsample/hold,reference,clock,digitalinterfaceformicroprocessorcontrol,andthree–stateoutpu	SipexSipex Corporation 西伯斯\|迈凌西伯斯公司	Sipex
TCP8510	文件：82.7 Kbytes Page：1 Pages	MouldedTypeStraightPlugs	HOSIDEN HOSIDEN	HOSIDEN
TDA8510	文件：82.88 Kbytes Page：16 Pages	26WBTLand2x13WSEpoweramplifiers	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TDA8510J	文件：82.88 Kbytes Page：16 Pages	26WBTLand2x13WSEpoweramplifiers	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TPCP8510	文件：218.37 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconNPNEpitaxialType High-Speed,High-VoltageSwitchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=120to300(IC=0.1A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.14V(max) •High-speedswitching:tf=0.2μs(typ)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCP8510	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TS8510VB	文件：88.89 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”.  GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedanda	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TS8510VB	文件：89.42 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES •Packagetype:chip •Packageform:singlechip •Technology:surfaceemitter •Dimensionschip(LxWxH	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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