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TS8510VB-SD-F	文件：88.89 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”.  GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedanda	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
UFR8510	文件：123.36 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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