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MJ14002	文件：121.94 Kbytes Page：2 Pages	High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJ14002	文件：291.64 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ14002	文件：241.69 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSITORS Designedforuseinhigh−poweramplifierandswitchingcircuitapplications. Features •HighCurrentCapability−ICContinuous=60Amperes •DCCurrentGain−hFE=15−100@IC=50Adc •LowCollector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat)=2.5Vdc(Max) @IC=50Adc •Pb−FreePa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ14002	文件：241.69 Kbytes Page：6 Pages	60AMPERESCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSITORS60-80VOLTS300WATTS High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforuseinhigh–poweramplifierandswitchingcircuitapplications, •HighCurrentCapability—ICContinuous=60Amperes •DCCurrentGain—hFE=15–100@IC=50Adc •LowCollector–EmitterSaturationVoltage—	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJ14002	文件：96.22 Kbytes Page：5 Pages	High?묬urrentComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ14002G	文件：96.22 Kbytes Page：5 Pages	High?묬urrentComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PREMISE_HFCD14002PSBK	文件：221.84 Kbytes Page：1 Pages	Indoor/OutdoorTightBufferCablePlenum	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
PREMISE_HFCD14002RSBK	文件：221.83 Kbytes Page：1 Pages	Indoor/OutdoorTightBufferCableRiser	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
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T-14002	文件：35.25 Kbytes Page：1 Pages	EthernetApplicationTransformers	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

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