MJ14002G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MJ14002G |
参数属性 | MJ14002G 封装/外壳为TO-204AE;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 60A TO204 |
功能描述 | High?묬urrent Complementary Silicon Power Transistors |
封装外壳 | TO-204AE |
文件大小 |
96.22 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-2 11:32:00 |
人工找货 | MJ14002G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
MJ14002G规格书详情
MJ14002G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJ14002G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
MJ14002G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 12A,60A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
15 @ 50A,3V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-204AE
- 供应商器件封装:
TO-204(TO-3)
- 描述:
TRANS NPN 80V 60A TO204
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
24+ |
TO-204AE |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
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