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MJ14002分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJ14002
厂商型号

MJ14002

参数属性

MJ14002 封装/外壳为TO-204AE;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 80V 60A TO204

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS
TRANS NPN 80V 60A TO204

文件大小

241.69 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-30 22:30:00

MJ14002规格书详情

Designed for use in high−power amplifier and switching circuit applications.

Features

• High Current Capability − IC Continuous = 60 Amperes

• DC Current Gain − hFE = 15−100 @ IC = 50 Adc

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max)

@ IC = 50 Adc

• Pb−Free Packages are Available*

MJ14002属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的MJ14002晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    MJ14002G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 12A,60A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 50A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AE

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 60A TO204

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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