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SMAJ8.5E3	文件：489.87 Kbytes Page：6 Pages	Marking：MAS；Package：DO-214AC；400W Transient Voltage Suppressor (TVS) protection device Descriptionandapplications Thisdevicehastheabilitytoclampdangeroushighvoltage,shorttermtransientssuchasproducedbydirectedor radiatedelectrostaticdischargephenomenabeforeenteringsensitivecomponentregionsofacircuitdesign.Response timeofclampingactionisvirtual	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MASTERGAN1	文件：529.53 Kbytes Page：27 Pages	Marking：MASTERGAN1；Package：QFN9x9x1mm；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistors: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ –IDS(MAX)=10A •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecoveryloss •UVLOprotectiononlow-sideandhigh-side •Internalb	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MASTERGAN1TR	文件：529.53 Kbytes Page：27 Pages	Marking：MASTERGAN1；Package：QFN9x9x1mm；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistors: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ –IDS(MAX)=10A •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecoveryloss •UVLOprotectiononlow-sideandhigh-side •Internalb	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MASTERGAN2	文件：680.33 Kbytes Page：29 Pages	Marking：MASTERGAN2；Package：QFN；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistorsinasymmetricalconfiguration: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ(LS)+225mΩ(HS) –IDS(MAX)=10A(LS)+6.5A(HS) •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MASTERGAN2TR	文件：680.33 Kbytes Page：29 Pages	Marking：MASTERGAN2；Package：QFN；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistorsinasymmetricalconfiguration: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ(LS)+225mΩ(HS) –IDS(MAX)=10A(LS)+6.5A(HS) •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
MAS
制造商：
Hirschmann
功能描述：
Bulk
制造商：
Hirschmann Electronics GmbH & Co Kg
功能描述：
PLUG DIN FREE 3PIN
制造商：
HIRSCHMANN
功能描述：
PLUG, DIN, FREE, 3PIN
功能描述：
CONNECTOR, DIN, PLUG, 3POS;
Series：
-;
Gender：
Plug; No. of
Contacts：
3; Contact
Termination：
Solder; Connector
Mounting：
Cable; Connector Body
Material：
Plastic; Contact
Plating：
Tin; Connector
Color：
Grey; Connector
Type：
DIN Audio ;RoHS
Compliant：
Yes

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