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M58WR064KL70ZA6E

16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories

文件:2.33454 Mbytes 页数:123 Pages

NUMONYX

M58WR064KL70ZA6U

16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories

文件:2.33454 Mbytes 页数:123 Pages

NUMONYX

M58WR064KU

16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories

文件:2.33454 Mbytes 页数:123 Pages

NUMONYX

M58WR064KU60ZA6E

16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories

文件:2.33454 Mbytes 页数:123 Pages

NUMONYX

M58WR064KU60ZA6U

16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories

文件:2.33454 Mbytes 页数:123 Pages

NUMONYX

M58WR064KU70ZA6E

16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories

文件:2.33454 Mbytes 页数:123 Pages

NUMONYX

M58WR064KU70ZA6U

16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories

文件:2.33454 Mbytes 页数:123 Pages

NUMONYX

M58WR064EB70ZB6

IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA

Micron

美光

M58WR064HB

64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) 1.8V supply Flash memories

Micron

美光

M58WR064EB70ZB6T

Package:56-VFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    64Mb (4M x 16)

  • 时钟频率:

    66MHz

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 访问时间:

    70ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    1.65V ~ 2.2V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    56-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    56-VFBGA(7.7x9)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多M58WR064供应商 更新时间2026-1-29 16:01:00