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M58WR064EB70ZB6T

64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

SUMMARY DESCRIPTION The M58WR064E is a 64 Mbit (4Mbit x16) non-volatile Flash memory that may be erased electrically at block level and programmed in-system on a Word-by-Word basis using a 1.65V to 2.2V VDD supply for the circuitry and a 1.65V to 3.3V VDDQ supply for the Input/Output pins. An opt

文件:1.10087 Mbytes 页数:82 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M58WR064EB70ZB6T

Package:56-VFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M5M5256DFP-70LL

MIT

MIT

M5M5408BTP-55H

RENESAS
TSOP32

M5M5408BTP-70H

RENESAS
TSOP32

产品属性

  • 产品编号:

    M58WR064EB70ZB6T

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    64Mb(4M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    1.65V ~ 2.2V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    56-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    56-VFBGA(7.7x9)

  • 描述:

    IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多M58WR064EB70ZB6T供应商 更新时间2025-10-4 15:14:00