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LSD20N60F	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压超结VDMOS;	LontenLonten Semiconductor Co.,Ltd. 龙腾半导体龙腾半导体股份有限公司	Lonten
MGP20N60U	文件：120.01 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistorN–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Italsoprovidesfastswitchingcharacteristicsandresultsinefficie	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MGP20N60U	文件：120.68 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistorN–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Italsoprovideslowon–voltagewhichresultsinefficientoperationat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGW20N60D	文件：246.08 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MHF20N60CT	文件：2.68645 Mbytes Page：8 Pages	600VSiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
MSAFX20N60A	文件：48.16 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features •Ultrafastbodydiode •Ruggedpolysilicongatecellstructure •IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability •Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Reversepolarityavailableuponrequest	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSW20N60	文件：480.56 Kbytes Page：4 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
NCE20N60	文件：609.19 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE20N60F	文件：609.19 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
P20N60	文件：364.5 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

Technology：
Super Junction-F
VDS(V)：
600
ID(A)：
20
PD (W) 25℃：
34
VGS(V)：
30
VGS(th)Typ(V)：
3
RDS(on)Typ(mΩ)：
140
RDS(on)Max(mΩ)：
160

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	LSD20N60F	LONTEN	23+	TO220F	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	LSD20N65	LONTEN	2447	TO-220F	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市一线半导体有限公司	LSD-2153HS-10V	LIGITEK	24+	DIP	12651		询价
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更多LSD20N60F供应商更新时间2025-7-29 16:35:00

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