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LS2306N	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23-3L MOSFET	LISION 力神	LISION
LS2306N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Power MOSFET	PowerSiliicon 力神微	PowerSiliicon
NTE2306	文件：23.7 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier Description: The NTE2305 (NPN) and NTE2306 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO218 type package designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. Features: • High Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 16 文件：23.7 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
RF2306	文件：59.56 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE AMPLIFIER Product Description The RF2306 is a general purpose, low cost RF amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as an easily-cascadable 50Ω gain block. Applications include IF and RF amplifica 文件：59.56 Kbytes 页数：4 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF2306PCBA	文件：59.56 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE AMPLIFIER Product Description The RF2306 is a general purpose, low cost RF amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as an easily-cascadable 50Ω gain block. Applications include IF and RF amplifica 文件：59.56 Kbytes 页数：4 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD

技术参数

Polarity：
N
V(BR)DSS(V)：
30
ID(A)：
3.16
VGSS(A)：
±12
VGS(th)(V)：
1.6
VGS(th)_ID(uA)：
250
RDS(ON)(max)_VGS=10V：
47
RDS(ON)(max)_VGS=4.5V：
65
RDS(ON)(max)_VGS=2.5V：
–
RDS(ON)(max)_VGS=1.8V：
–
Package：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	LS2306N	ISION	2019+PB	SOT-23-3L	88700	原装正品可含税交易	询价
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