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MV2109	文件：123.4 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode ThesedevicesaredesignedinthepopularPLASTICPACKAGEforhighvolumerequirementsofFMRadioandTVtuningandAFC,generalfrequencycontrolandtuningapplications.Theyprovidesolid–statereliabilityinreplacementofmechanicaltuningmethods.AlsoavailableinSurfaceMountPackageupto	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
MV2109	文件：70.02 Kbytes Page：5 Pages	SiliconTuningDiodes ThesedevicesaredesignedinpopularplasticpackagesforthehighvolumerequirementsofFMRadioandTVtuningandAFC,generalfrequencycontrolandtuningapplications.Theyprovidesolid−statereliabilityinreplacementofmechanicaltuningmethods.AlsoavailableinaSurfaceMountPackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MV2109G	文件：70.02 Kbytes Page：5 Pages	SiliconTuningDiodes ThesedevicesaredesignedinpopularplasticpackagesforthehighvolumerequirementsofFMRadioandTVtuningandAFC,generalfrequencycontrolandtuningapplications.Theyprovidesolid−statereliabilityinreplacementofmechanicaltuningmethods.AlsoavailableinaSurfaceMountPackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NMA-2109	文件：75.08 Kbytes Page：1 Pages	NMA2100NOISESOURCESERIES	MICRONETICS Micronetics, Inc.	MICRONETICS
PB2109	文件：288.76 Kbytes Page：5 Pages	HighFrequencyWireWoundTransformers	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
PB2109NL	文件：426.44 Kbytes Page：4 Pages	HighFrequencyWireWoundTransformers	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
RN2109	文件：177.71 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1107~RN1109	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2109ACT	文件：150.69 Kbytes Page：6 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitand DriverCircuitApplications •Extrasmallpackage(CST3)isapplicableforextrahighdensity fabrication. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount. •Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermor	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2109F	文件：217.25 Kbytes Page：5 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1107F~RN1109F	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2109MFV	文件：200.7 Kbytes Page：6 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Ultra-smallpackage,suitedtoveryhighdensitymounting ●Incorporatingabiasresistorintothetransistorreducesthenumberofparts,so enablingthemanufactureofevermorecompactequipmentandlowering	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
LPC2109FBD
功能描述：
ARM微控制器 - MCU ARM7 64KF/8KR/CAN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
核心：
ARM Cortex M4F
处理器系列：
STM32F373xx
数据总线宽度：
32 bit
最大时钟频率：
72 MHz
程序存储器大小：
256 KB 数据 RAM
大小：
32 KB 片上
ADC：
Yes
工作电源电压：
1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V
工作温度范围：
- 40 C to + 85 C
封装/箱体：
LQFP-48
安装风格：
SMD/SMT

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