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MV2109G	文件：70.02 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Tuning Diodes ThesedevicesaredesignedinpopularplasticpackagesforthehighvolumerequirementsofFMRadioandTVtuningandAFC,generalfrequencycontrolandtuningapplications.Theyprovidesolid−statereliabilityinreplacementofmechanicaltuningmethods.AlsoavailableinaSurfaceMountPackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MV2109G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）描述：DIODE TUNING 30V 200MA TO92-2	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NMA-2109	文件：75.08 Kbytes Page：1 Pages	NMA2100NOISESOURCESERIES	MICRONETICS Micronetics, Inc.	MICRONETICS
PB2109	文件：288.76 Kbytes Page：5 Pages	HighFrequencyWireWoundTransformers	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
PB2109NL	文件：426.44 Kbytes Page：4 Pages	HighFrequencyWireWoundTransformers	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
RN2109	文件：177.71 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1107~RN1109	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2109ACT	文件：150.69 Kbytes Page：6 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitand DriverCircuitApplications •Extrasmallpackage(CST3)isapplicableforextrahighdensity fabrication. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount. •Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermor	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2109F	文件：217.25 Kbytes Page：5 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1107F~RN1109F	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2109MFV	文件：200.7 Kbytes Page：6 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Ultra-smallpackage,suitedtoveryhighdensitymounting ●Incorporatingabiasresistorintothetransistorreducesthenumberofparts,so enablingthemanufactureofevermorecompactequipmentandlowering	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RSZ-2109	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM

产品属性

产品编号：
MV2109G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
不同 Vr、F 时电容：
36.3pF @ 4V，1MHz
电容比条件：
C2/C30
二极管类型：
单路
不同 Vr、F 时 Q 值：
200 @ 4V，50MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）
供应商器件封装：
TO-92
描述：
DIODE TUNING 30V 200MA TO92-2

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更多MV2109G供应商更新时间2025-5-28 10:19:00

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