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LP821	文件：35.69 Kbytes Page：2 Pages	SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances, re 文件：35.69 Kbytes 页数：2 Pages	Polyfet	Polyfet
LP821	文件：300 bytes Page：1 Pages	LDMOS SHORTFORM	Polyfet RF Devices	Polyfet RF Devices
LP821_14	文件：61.67 Kbytes Page：2 Pages	RF POWER LDMOS TRANSISTOR 文件：61.67 Kbytes 页数：2 Pages	Polyfet	Polyfet
LP8217DT1AG	文件：220.83 Kbytes Page：3 Pages	丝印：P17；Package：DFN3030-8B；20V P-Channel (D-S) MOSFET 文件：220.83 Kbytes 页数：3 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LP821M063A1P3	文件：167.72 Kbytes Page：3 Pages	105 ?C Snap-In Aluminum Electrolytic Capacitors 文件：167.72 Kbytes 页数：3 Pages	CDE	CDE
LP821M063A1P3	文件：355.47 Kbytes Page：4 Pages	Stable ESR, Long Life, Snap-In 文件：355.47 Kbytes 页数：4 Pages	CDE	CDE
LP821M100E1P3	文件：167.72 Kbytes Page：3 Pages	105 ?C Snap-In Aluminum Electrolytic Capacitors 文件：167.72 Kbytes 页数：3 Pages	CDE	CDE
LP821M100E1P3	文件：355.47 Kbytes Page：4 Pages	Stable ESR, Long Life, Snap-In 文件：355.47 Kbytes 页数：4 Pages	CDE	CDE
LP821M200H3P3	文件：167.72 Kbytes Page：3 Pages	105 ?C Snap-In Aluminum Electrolytic Capacitors 文件：167.72 Kbytes 页数：3 Pages	CDE	CDE
LP821M200H3P3	文件：355.47 Kbytes Page：4 Pages	Stable ESR, Long Life, Snap-In 文件：355.47 Kbytes 页数：4 Pages	CDE	CDE

技术参数

VDSS (V)：
20
VGS(V)：
8
ID (A) @TA：
8.8
VGSth Min (V)：
0.4
td(on) (ns)：
6
td(off) (ns)：
85
RDS（ON）Max @VGS/IDS (mΩ)：
26
VGS/IDS (V)/(A)：
4.5/7
Package：
DFN3030-8B
Polarity：
P-Channel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	LP821	Polyfet	24+	SMD	5500	长期供应原装现货实单可谈	询价
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更多LP821供应商更新时间2025-10-11 17:04:00

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