LP821电容器的铝电解电容器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
LP821 |
| 参数属性 | LP821 封装/外壳为径向，Can - 卡入式；包装为散装；类别为电容器的铝电解电容器；LP821应用范围：通用；产品描述：CAP ALUM 820UF 20% 100V SNAP |
| 功能描述 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 径向，Can - 卡入式 |
| 文件大小 |
35.69 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | POLYFET |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-18 20:00:00 |
| 人工找货 | LP821价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
LP821规格书详情
General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
Polyfet process features low feedback and output capacitances, resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
10.0 Watts Single Ended
Package Style AP
HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE ROHS COMPLIANT
产品属性
- 产品编号：
LP821M100E1P3
- 制造商：
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
- 类别：
电容器 > 铝电解电容器
- 系列：
LP
- 包装：
散装
- 容差：
±20%
- ESR（等效串联电阻）：
300 毫欧 @ 120Hz
- 不同温度时使用寿命：
105°C 时为 1000 小时
- 工作温度：
-40°C ~ 105°C
- 极化：
极化
- 应用：
通用
- 引线间距：
0.394"（10.00mm）
- 大小 / 尺寸：
1.181" 直径（30.00mm）
- 高度 - 安装（最大值）：
0.984"（25.00mm）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
径
- 描述：
CAP ALUM 820UF 20% 100V SNAP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
POLYFET |
25+ |
AP |
65248 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
POLYFET |
23+ |
TO-59 |
8510 |
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询价 | ||
Polyfet |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
POLYFET |
23+ |
TO-59 |
13000 |
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24+ |
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Polyfet |
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