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LNB83028DT0AG

丝印:N3C;Package:DFN3333-8A;N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology.

文件:582.14 Kbytes 页数:5 Pages

LRC

乐山无线电

LNB8303DT0AG

丝印:AB;Package:DFN3333-8A;N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET

文件:849.75 Kbytes 页数:6 Pages

LRC

乐山无线电

LNB8304DT0AG

丝印:N2B;Package:DFN3333-8A;N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET

文件:937.05 Kbytes 页数:6 Pages

LRC

乐山无线电

LNB8304RDT0AG

丝印:N2R;Package:DFN3333-8A;N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET

文件:412.36 Kbytes 页数:5 Pages

LRC

乐山无线电

LNB8308DT0AG

丝印:N3;Package:DFN3333-8A;N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology.

文件:472.82 Kbytes 页数:6 Pages

LRC

乐山无线电

LNB8350DT0AG

丝印:N50;Package:DFN3333-8A;N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology.

文件:2.46233 Mbytes 页数:3 Pages

LRC

乐山无线电

LNB8404DT0AG

丝印:B4N;Package:DFN3333-8A;N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology.

文件:656.98 Kbytes 页数:5 Pages

LRC

乐山无线电

LNB8408DT0AG

丝印:BN;Package:DFN3333-8A;N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology.

文件:553.85 Kbytes 页数:7 Pages

LRC

乐山无线电

LNB8410DT0AG

丝印:P18;Package:DFN3333-8A;N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology.

文件:2.6105 Mbytes 页数:3 Pages

LRC

乐山无线电

LNB8462DT0AG

丝印:65D;Package:DFN3333-8A;60V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability

文件:538.64 Kbytes 页数:5 Pages

LRC

乐山无线电

技术参数

  • Technology:

    SGT

  • VDS(V):

    100

  • ID(A):

    120

  • PD (W) 25℃:

    147

  • VGS(V):

    20

  • VGS(th)Typ(V):

    3

  • RDS(on)Typ(Ω):

    0.0035

  • RDS(on)Max(Ω):

    0.004

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更多LNB供应商 更新时间2026-1-17 17:00:00