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LMV821-N	文件：2.59398 Mbytes Page：46 Pages	Single/Dual/QuadLowVoltage,LowPower,R-to-ROutput,5MHzOpAmps	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV821-N	文件：2.3102 Mbytes Page：37 Pages	LMV821-N/LMV822-N/LMV822-N-Q1/LMV824/LMV824-N-Q1Single/Dual/QuadLowVoltage	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LND821	文件：115.57 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION TheLND820seriesprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoappro	LINEAR_DIMENSIONS Linear Dimensions Semiconductor	LINEAR_DIMENSIONS
LP821	文件：35.69 Kbytes Page：2 Pages	SILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERLDMOSTRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeatureslowfeedbackandoutputcapacitances,re	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
LPCSMT821	文件：571.7 Kbytes Page：7 Pages	SMDShieldedPowerInductor Features: •Provideshighpowerandhighsaturation •Providesmagneticshieldingagainstradiation •Electrodedirectlyconnectedtoferritecore •ContactStackpoleforadditionalinductancevalues •Operatingtemperature40~125ºC •100%RoHScompliantandleadfreewithoutexemption	SEIStackpole Electronics Inc. 斯塔克波尔斯塔克波尔电子公司	SEI
LPCT821	文件：609.04 Kbytes Page：8 Pages	SMDUnshieldedPowerInductor Features: •Provideshighpowerandhighsaturation •Silverplatedforlowcostdesign •Availableontapeandreelforautosurfacemounting •100%RoHScompliantandleadfreewithoutexemption •Halogenfree •REACHcompliant •ContactStackpoleforadditionalinductancevalues A	SEIStackpole Electronics Inc. 斯塔克波尔斯塔克波尔电子公司	SEI
LPV821	文件：1.4379 Mbytes Page：24 Pages	650nA,Precision,Nanopower,Zero-DriftAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LPV821	文件：407.25 Kbytes Page：18 Pages	650nA,Precision,Nanopower,Zero-DriftAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LPV821DBVR	文件：1.4379 Mbytes Page：24 Pages	650nA,Precision,Nanopower,Zero-DriftAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LQ821	文件：35.85 Kbytes Page：2 Pages	SILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERLDMOSTRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeatureslowfeedbackandoutputcapacitances,re	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet

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详细参数

型号：
LMV821ICT
功能描述：
运算放大器 - 运放 Low Power OP AMP 400uA 5V 50nA 5.5MHz
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳和润天下电子科技有限公司	LMV821ICT	ST/意法半导体	22+	SC-70-5	6000	原装正品现货可开增值税发票	询价
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