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LMG3411R150中文资料具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN数据手册TI规格书
| 厂商型号 |
LMG3411R150 |
| 参数属性 | LMG3411R150 封装/外壳为32-VQFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的配电开关负载驱动器；产品描述：SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE |
| 功能描述 | 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN |
| 封装外壳 | 32-VQFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | TI Texas Instruments |
| 中文名称 | 德州仪器 美国德州仪器公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 20:00:00 |
| 人工找货 | LMG3411R150价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
LMG3411R150规格书详情
描述 Description
LMG341xR150 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。
LMG341xR150 通过集成一系列独特的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
特性 Features
• TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
• 支持高密度电源转换设计
• 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
• 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
• 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
• 数字故障状态输出信号
• 仅需 +12V 非稳压电源
• 集成栅极驱动器
• 零共源电感
• 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
• 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
• 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
• 逐周期过流保护
• 强大的保护
• 无需外部保护组件
• 过流保护，响应时间低于 100ns
• 压摆率抗扰性高于 150V/ns
• 瞬态过压抗扰度
• 过热保护
• 针对所有电源轨的 UVLO 保护
• 器件选项：
• LMG3410R150：锁存过流保护
• LMG3411R150：逐周期过流保护
技术参数
- 制造商编号
：LMG3411R150
- 生产厂家
：TI
- VDS (Max) (V)
：600
- ID (Max) (A)
：6
- Rating
：Catalog
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
25+ |
32-VQFN |
65248 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
2024+ |
QFN-32-EP(8x8) |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
Texas |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
TI |
24+ |
VQFN32 |
1000 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
32-VQFN |
4257 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
TI |
25+ |
VQFN (RWH) |
6000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
VQFN-32 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
22+ |
VQFN-32 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
VQFN-32 |
5000 |
只有原装,欢迎来电咨询! |
询价 |
