首页 >LMG1020>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

LMG1020

LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN and MOSFET Driver For 1-ns Pulse Width Applications

1 Features 1• Low-Side, Ultra-Fast Gate Driver for GaN and Silicon FETs • 1 ns Minimum Input Pulse Width • Up to 60 MHz Operation • 2.5 ns Typical, 4.5 ns Maximum Propagation Delay • 400 ps Typical Rise and Fall Time • 7-A Peak Source and 5-A Peak Sink Currents • 5-V Supply Voltage • UVL

文件:1.08708 Mbytes 页数:25 Pages

TI

德州仪器

LMG1020

5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN Driver With 60-MHz, 1-ns Speed

文件:389.25 Kbytes 页数:19 Pages

TI

德州仪器

LMG1020

具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低侧 GaN 驱动器

LMG1020 器件是一款单通道低侧驱动器,专为在高速 应用 (包括 LiDAR、飞行时间、面部识别和任何涉及低侧驱动器的功率转换器)中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 而设计。LMG1020 设计简约,可实现 2.5 纳秒的极快传播延迟和 1 纳秒的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与 OUTH 和 OUTL 之间连接外部电阻器,可针对上拉和下拉沿来独立调节驱动强度。 \n\n该驱动器 提供 过载或故障情况下的欠压锁定 (UVLO) 和过热保护 (OTP)。 \n\nLMG1020 的 0.8mm × 1.2mm WCSP 封装可最大限度地降低栅极回路电感并最大限度地提高高频功率密度 • 用于 GaN 和硅质 FET 的低侧、超快栅极驱动器\n• 1ns 最小输入脉冲宽度\n• 工作频率高达 60MHz\n• 传播延迟:典型值 2.5ns,最大值 4.5ns\n• 典型上升和下降时间 400ps \n• 7A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流 \n• 5V 电源电压\n• UVLO 和过热保护 \n• 0.8mm × 1.2mm WCSP 封装;

TI

德州仪器

LMG1020YFFR

LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN and MOSFET Driver For 1-ns Pulse Width Applications

1 Features 1• Low-Side, Ultra-Fast Gate Driver for GaN and Silicon FETs • 1 ns Minimum Input Pulse Width • Up to 60 MHz Operation • 2.5 ns Typical, 4.5 ns Maximum Propagation Delay • 400 ps Typical Rise and Fall Time • 7-A Peak Source and 5-A Peak Sink Currents • 5-V Supply Voltage • UVL

文件:1.08708 Mbytes 页数:25 Pages

TI

德州仪器

LMG1020YFFR.A

LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN and MOSFET Driver For 1-ns Pulse Width Applications

1 Features 1• Low-Side, Ultra-Fast Gate Driver for GaN and Silicon FETs • 1 ns Minimum Input Pulse Width • Up to 60 MHz Operation • 2.5 ns Typical, 4.5 ns Maximum Propagation Delay • 400 ps Typical Rise and Fall Time • 7-A Peak Source and 5-A Peak Sink Currents • 5-V Supply Voltage • UVL

文件:1.08708 Mbytes 页数:25 Pages

TI

德州仪器

LMG1020YFFT

LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN and MOSFET Driver For 1-ns Pulse Width Applications

1 Features 1• Low-Side, Ultra-Fast Gate Driver for GaN and Silicon FETs • 1 ns Minimum Input Pulse Width • Up to 60 MHz Operation • 2.5 ns Typical, 4.5 ns Maximum Propagation Delay • 400 ps Typical Rise and Fall Time • 7-A Peak Source and 5-A Peak Sink Currents • 5-V Supply Voltage • UVL

文件:1.08708 Mbytes 页数:25 Pages

TI

德州仪器

LMG1020YFFT.A

LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN and MOSFET Driver For 1-ns Pulse Width Applications

1 Features 1• Low-Side, Ultra-Fast Gate Driver for GaN and Silicon FETs • 1 ns Minimum Input Pulse Width • Up to 60 MHz Operation • 2.5 ns Typical, 4.5 ns Maximum Propagation Delay • 400 ps Typical Rise and Fall Time • 7-A Peak Source and 5-A Peak Sink Currents • 5-V Supply Voltage • UVL

文件:1.08708 Mbytes 页数:25 Pages

TI

德州仪器

LMG1020YFFR

5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN Driver With 60-MHz, 1-ns Speed

文件:389.25 Kbytes 页数:19 Pages

TI

德州仪器

LMG1020YFFT

5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN Driver With 60-MHz, 1-ns Speed

文件:389.25 Kbytes 页数:19 Pages

TI

德州仪器

LMG1020EVM-006

包装:散装 功能:栅极驱动器 类别:开发板,套件,编程器 评估和演示板及套件 描述:LMG1020EVM-006

TI

德州仪器

技术参数

  • Power switch:

    MOSFET

  • Peak output current (A):

    7

  • Input VCC (Min) (V):

    4.75

  • Input VCC (Max) (V):

    5.25

  • Features:

    low-side

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 125

  • Rise time (ns):

    0.4

  • Fall time (ns):

    0.4

  • Prop delay (ns):

    2.5

  • Input threshold:

    TTL

  • Channel input logic:

    Inverting

  • Input negative voltage (V):

    0

  • Rating:

    Catalog

  • Undervoltage lockout (Typ):

    3.5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI德州仪器
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
询价
TI
500
询价
TI/德州仪器
24+
DSBGA-6
350000
实数库存鄙视假货
询价
Texas Instruments
24+
6-DSBGA(1.2x0.8)
65200
一级代理/放心采购
询价
TI/德州仪器
23+
6-DSBGA
3084
原装正品代理渠道价格优势
询价
TI(德州仪器)
2021+
-
499
询价
TI/德州仪器
24+
DSBGA-6
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
NA
23+
NA
26094
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业
询价
TI
23+
N/A
560
原厂原装
询价
TI(德州仪器)
24+/25+
10000
原装正品现货库存价优
询价
更多LMG1020供应商 更新时间2026-1-17 8:01:00