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LMG1020YFFR

LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN and MOSFET Driver For 1-ns Pulse Width Applications

1 Features 1• Low-Side, Ultra-Fast Gate Driver for GaN and Silicon FETs • 1 ns Minimum Input Pulse Width • Up to 60 MHz Operation • 2.5 ns Typical, 4.5 ns Maximum Propagation Delay • 400 ps Typical Rise and Fall Time • 7-A Peak Source and 5-A Peak Sink Currents • 5-V Supply Voltage • UVL

文件:1.08708 Mbytes 页数:25 Pages

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LMG1020YFFR

5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN Driver With 60-MHz, 1-ns Speed

文件:389.25 Kbytes 页数:19 Pages

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LMG1020YFFR.A

LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN and MOSFET Driver For 1-ns Pulse Width Applications

1 Features 1• Low-Side, Ultra-Fast Gate Driver for GaN and Silicon FETs • 1 ns Minimum Input Pulse Width • Up to 60 MHz Operation • 2.5 ns Typical, 4.5 ns Maximum Propagation Delay • 400 ps Typical Rise and Fall Time • 7-A Peak Source and 5-A Peak Sink Currents • 5-V Supply Voltage • UVL

文件:1.08708 Mbytes 页数:25 Pages

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LMG1020YFFR

Package:6-UFBGA,DSBGA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

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产品属性

  • 产品编号:

    LMG1020YFFR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.75V ~ 5.25V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.8V,1.7V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    7A,5A

  • 输入类型:

    反相,非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    375ps,350ps

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-UFBGA,DSBGA

  • 供应商器件封装:

    6-DSBGA

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多LMG1020YFFR供应商 更新时间2025-12-1 8:01:00