LM74670-Q1 Zero IQ Smart Diode Rectifier Controller

1 Features 1• AEC-Q100 Qualified With the Following Results: – Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range – Exceeds HBM ESD Classification Level 2 – Device CDM ESD Classification Level C4B • Peak Input AC Voltage: 42 V • Zero IQ • Charge Pump Gate Driv

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Zero IQ Smart Diode Rectifier Controller

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具有 70uA 栅极驱动器的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管整流器控制器

LM74670-Q1 是一种控制器器件，可在交流发电机的全桥或半桥整流器架构中与 N 通道 MOSFET 搭配使用。它旨在驱动外部 MOSFET 以模拟理想二极管。此方案独一无二的优势在于其并无接地基准，因此其具有零 IQ。采用全桥或半桥整流器和交流发电机的肖特基二极管可以替换为 LM74670-Q1 解决方案，以避免正向导电二极管损耗并使交流/直流转换器更加高效。 \n\nLM74670-Q1 控制器为外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动，并配有快速响应内部比较器，可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。此器件支持频率高达 300Hz 的交流信号。 • 符合 AEC-Q100 标准，其中包括以下内容： \n• 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境工作温度范围 \n• 超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2\n• 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B\n \n• 峰值输入交流电压：42V\n• 零 IQ\n• 适用于外部 N 通道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器\n• 与肖特基二极管相比，正向压降和功耗更低 \n• 能够处理频率高达 300Hz 的交流信号;

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