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LM74670-Q1中文资料具有 70uA 栅极驱动器的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管整流器控制器数据手册TI规格书
LM74670-Q1规格书详情
描述 Description
LM74670-Q1 是一种控制器器件，可在交流发电机的全桥或半桥整流器架构中与 N 通道 MOSFET 搭配使用。它旨在驱动外部 MOSFET 以模拟理想二极管。此方案独一无二的优势在于其并无接地基准，因此其具有零 IQ。采用全桥或半桥整流器和交流发电机的肖特基二极管可以替换为 LM74670-Q1 解决方案，以避免正向导电二极管损耗并使交流/直流转换器更加高效。
LM74670-Q1 控制器为外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动，并配有快速响应内部比较器，可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。此器件支持频率高达 300Hz 的交流信号。
特性 Features
• 符合 AEC-Q100 标准，其中包括以下内容：
• 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境工作温度范围
• 超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
• 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B
• 峰值输入交流电压：42V
• 零 IQ
• 适用于外部 N 通道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
• 与肖特基二极管相比，正向压降和功耗更低
• 能够处理频率高达 300Hz 的交流信号
技术参数
- 制造商编号
：LM74670-Q1
- 生产厂家
：TI
- Vin (Max) (V)
：42
- Features
：Linear control
- Iq (Typ) (mA)
：0
- Iq (Max) (mA)
：0
- IGate source (Typ) (uA)
：70
- IGate source (Max) (uA)
：67
- IGate sink (Typ) (mA)
：0.07
- IGate pulsed (Typ) (A)
：0.1
- Operating temperature range (C)
：-40 to 125
- IReverse (Typ) (uA)
：110
- VSense reverse (Typ) (mV)
：20
- Design support
：EVM
- Rating
：Automotive
- Channel(s) controlled (#)
：1
- FET
：External
- VGS (Max) (V)
：2.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
VSSOP80.65mm |
7350 |
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TI(德州仪器) |
24+ |
NA/ |
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Texas |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
22+ |
VSSOP8 |
3000 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
20+ |
VSSOP-8 |
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TI/德州仪器 |
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TI |
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1983 |
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询价 |
