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MRF137	文件：213.38 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSBROADBANDRFPOWERFET TheRFMOSFETLineRFPowerField-EffectTransistorN–ChannelEnhancement–Mode ...designedforwidebandlarge–signaloutputanddriverstagesupto400MHzrange. •Guaranteed28Volt,150MHzPerformance OutputPower=30Watts MinimumGain=13dB Efficiency—60(Typical) •	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
MRF137	文件：196.48 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSBROADBANDRFPOWERFET TheRFMOSFETLineRFPowerField-EffectTransistorN–ChannelEnhancement–Mode ...designedforwidebandlarge–signaloutputanddriverstagesupto400MHzrange. •Guaranteed28Volt,150MHzPerformance OutputPower=30Watts MinimumGain=13dB Efficiency—60(Typical) •	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF137	文件：437.55 Kbytes Page：11 Pages	TheRFMOSFETLine30W,to400MHz,28V Designedforwidebandlargesignaloutputanddrivestagesupto400MHzrange. N–Channelenhancementmode •Guaranteed28V,150MHzperformance Outputpower=30W Minimumgain=13dB Efficiency—60(Typical) •Small–andlarge–signalcharacterization •Typicalperformancea	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF137	文件：21.02 Kbytes Page：1 Pages	RFPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF137isaN-ChannelEnhancementMOSFET,DesignedforWidebandLargeSignalOutputandDriverStageApplicationsupto400MHz.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF137	文件：404.75 Kbytes Page：11 Pages	TheRFMOSFETLine30W,to400MHz,28V	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MUR137	文件：56.23 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MZ137	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
N137	文件：147.88 Kbytes Page：1 Pages	PolyurethaneAdhesive-BackBumpers	HeycoHeyco. 海科	Heyco
NCP137	文件：181.64 Kbytes Page：9 Pages	700mA,VeryLowDropoutBiasRailCMOSVoltageRegulator	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE137A	文件：30.78 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiode,1Watt짹5Tolerance Features: •ZenerVoltage110Vto200V •LowCost •LowZenerImpedance •ExcellentClamping •EasilyCleanedwithFreon,Alcohol,Chlorothene,andSimilarSolvents	NTE NTE Electronics	NTE

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技术参数

Iout (Max) (A)：
1.5
Vin (Max) (V)：
-4.2
Vin (Min) (V)：
-40
Vout (Max) (V)：
-1.2
Vout (Min) (V)：
-37
Fixed output options (V)：
0
Noise (uVrms)：
1110
Iq (Typ) (mA)：
0.065
Thermal resistance θJA (°C/W)：
137
Rating：
Space
Load capacitance (Min) (µF)：
1
Regulated outputs (#)：
1
Features：
—
Accuracy (%)：
4
PSRR @ 100 KHz (dB)：
30
Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV)：
3000
Operating temperature range (C)：
-55 to 150

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