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LL60	文件：1.46769 Mbytes Page：4 Pages	MINI MELF Glass-Encapsulate Diodes Small Signal Fast Switching Diodes Features ● High reliability ● Low reverse current and low forward voltage Applications ● Low current rectification and high speed switching 文件：1.46769 Mbytes 页数：4 Pages	HDSEMI 海德半导体	HDSEMI
LL60P	文件：185.23 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diodes Features: * Silicon Epitaxial Planner Diode * Low Reverse Current and Low Forward Voltage * Low Current Rectification and High Speed Switching * High Reliability * Used in Recorder, Radio, TV, Telephone as Detectors 文件：185.23 Kbytes 页数：3 Pages	WEITRON	WEITRON
LL60P	文件：97.84 Kbytes Page：3 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES FEATURES • Metal-on-silicon junction, majority carrier conduction • High current capability, Low forward voltage drop • Extremely low reverse current IR • Ultra speed switching characteristics • Small temperature coefficient of forward characteristics • Satisfactory Wave detection efficiency 文件：97.84 Kbytes 页数：3 Pages	JINANJINGHENG 晶恒集团	JINANJINGHENG
LL60P	文件：321.47 Kbytes Page：3 Pages	500 mW Surface Mount LL-34 Hermetically Sealed Glass Small Signal Schottky Diode Specification Features: ■ LL-34 (Mini-MELF) Package (JEDEC) ■ Surface Device Type Mounting ■ Hermetically Sealed Glass ■ Compression Bonded Construction ■ All External Surfaces Are Corrosion Resistant And Terminals Are Readily Solderable ■ RoHS Compliant ■ Matte Tin (Sn) Terminal Finish ■ 文件：321.47 Kbytes 页数：3 Pages	TAK_CHEONG 德昌电子	TAK_CHEONG
LL60P	文件：147.54 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors ■Features ● High reliability ● Low reverse current and low forward voltage ■ Applications ● Low current rectification and high speed switching 文件：147.54 Kbytes 页数：2 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
LL60P	文件：464.86 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diodes 30-50 mAMPERES 40-45 VOLTS Features * Silicon Epitaxial Planner Diode * Low Reverse Current and Low Forward Voltage * Low Current Rectification and High Speed Switching * High Reliability * Used in Recorder, Radio, TV, Telephone as Detectors 文件：464.86 Kbytes 页数：2 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
LL60P	文件：457.4 Kbytes Page：3 Pages	SMALL SINGAL SCHOTTKY DIODES FEATURES • Metal-on-silicon junction, majority carrier conduction • High current capability, Low forward voltage drop • Extremely low reverse current IR • Ultra speed switching characteristics • Small temperature coefficient of forward characteristics • Satisfactory wave detection efficiency 文件：457.4 Kbytes 页数：3 Pages	GXELECTRONICS 星合电子	GXELECTRONICS
LL60P	文件：96.39 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diode Features 1. High reliability 2. Low reverse current and low forward voltage Applications Low current rectification and high speed switching 文件：96.39 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
LL60P	文件：376.54 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Schottky Barrier Diode 文件：376.54 Kbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
LL60P	文件：69.87 Kbytes Page：3 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES FEATURES • Metal-on-silicon junction, majority carrier conduction • High current capability, Low forward voltage drop • Extremely low reverse current IR • Ultra speed switching characteristics • Small temperature coefficient of forward characteristics • Satisfactory wave detection efficiency 文件：69.87 Kbytes 页数：3 Pages	JINGHENG 晶恒	JINGHENG

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技术参数

Polality：
N-ch + P-ch
VDSS(V)：
20/-20
VGSS(V)：
+/-8
ID：
Q1(A)
ID：
Q2(A)
PD(W)：
1.0
Ciss：
Q1(pF)Typ.
Ciss：
Q2(pF)Typ.
Qg：
Q1(nC)Typ.
Qg：
Q2(nC)Typ.
RDS(ON)：
Q1(Ω)VGS=2.5VMax
RDS(ON)：
Q1(Ω)VGS=4.5VMax
RDS(ON)：
Q2(Ω)VGS=-2.5VMax
RDS(ON)：
Q2(Ω)VGS=-4.5VMax
RDS(ON)：
Q2(Ω)VGS=-10VMax
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
UDFN6
Generation：
U-MOSⅦ-H/U-MOSⅥ
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.0 x 0.75
Package Size(mm2)：
4.00
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	SSM6L61NU	TOSHIBA/东芝	2025+	UDFN6	5000	原装进口,免费送样品!	询价
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