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LL60	文件：331.765 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE 文件：331.765 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
LL60	文件：1.5061 Mbytes Page：4 Pages	MINI MELF Glass-Encapsulate Diodes 文件：1.5061 Mbytes 页数：4 Pages	HDSEMI 海德半导体	HDSEMI
LL60_12	文件：218.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifier 文件：218.12 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
LL60_18	文件：1.5061 Mbytes Page：4 Pages	MINI MELF Glass-Encapsulate Diodes 文件：1.5061 Mbytes 页数：4 Pages	HDSEMI 海德半导体	HDSEMI
LL60P	文件：1.5061 Mbytes Page：4 Pages	MINI MELF Glass-Encapsulate Diodes 文件：1.5061 Mbytes 页数：4 Pages	HDSEMI 海德半导体	HDSEMI
LL60P	文件：218.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifier 文件：218.12 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
LL60P	文件：296.08 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：296.08 Kbytes 页数：2 Pages	YINT 音特电子	YINT
LL6	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：工具六角，螺丝刀描述：HEX KEY L-SHAPE 3/32\	KLEIN 凯能	KLEIN
LL60P	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管	MCC 美微科	MCC
LL60PW	文件：300 bytes Page：1 Pages	LOW VF肖特基二极管	Jingdao 晶导	Jingdao

技术参数

Polality：
N-ch + P-ch
VDSS(V)：
20/-20
VGSS(V)：
+/-8
ID：
Q1(A)
ID：
Q2(A)
PD(W)：
1.0
Ciss：
Q1(pF)Typ.
Ciss：
Q2(pF)Typ.
Qg：
Q1(nC)Typ.
Qg：
Q2(nC)Typ.
RDS(ON)：
Q1(Ω)VGS=2.5VMax
RDS(ON)：
Q1(Ω)VGS=4.5VMax
RDS(ON)：
Q2(Ω)VGS=-2.5VMax
RDS(ON)：
Q2(Ω)VGS=-4.5VMax
RDS(ON)：
Q2(Ω)VGS=-10VMax
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
UDFN6
Generation：
U-MOSⅦ-H/U-MOSⅥ
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.0 x 0.75
Package Size(mm2)：
4.00
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	SSM6L61NU	TOSHIBA/东芝	2025+	UDFN6	5000	原装进口,免费送样品!	询价
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