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丝印：LED602；Package：DPAK；N-channel 600 V, 4 Ω typ., 2 A Power MOSFET in DPAK and IPAK packages Features • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt capability • Very low intrinsic capacitance • Improved diode reverse recovery characteristics • Zener-protected Applications • LED lighting application Description These Power MOSFETs boast extremely low onresistance, superior d 文件：1.37544 Mbytes 页数：19 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
丝印：LED602；Package：IPAK；N-channel 600 V, 4 Ω typ., 2 A Power MOSFET in DPAK and IPAK packages Features • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt capability • Very low intrinsic capacitance • Improved diode reverse recovery characteristics • Zener-protected Applications • LED lighting application Description These Power MOSFETs boast extremely low onresistance, superior d 文件：1.37544 Mbytes 页数：19 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
LED602
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 4Ohm 2A 45W High dv/dt
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
600 V
- 闸/源击穿电压：
30 V
- 漏极连续电流：
2 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
4 Ohms
- 配置：
Single
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
DPAK
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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DPAK |
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