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MMBT3904	文件：555.38 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
MMBT3904	文件：146.92 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMBT3904	文件：92.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT3904	文件：338.18 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3904	文件：327.28 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司	GSME
MMBT3904	文件：1.2774 Mbytes Page：6 Pages	200mA,40VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ◆CollectorcurrentcapabilityIC=200mA ◆Collector-emittervoltageVCEO=40V. APPLICATION ◆Generalswitchingandamplification.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT3904	文件：186.18 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●AscomplementarytypethePNPtransistorMMBT3906isrecommended ●Epitaxialplanardieconstruction	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
MMBT3904	文件：48.48 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:MMBT3906. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Telephonyandprofessionalcommunicationequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
MMBT3904	文件：58.01 Kbytes Page：4 Pages	SMALLSIGNALNPNTRANSISTOR SMALLSIGNALNPNTRANSISTOR ■SILICONEPITAXIALPLANARNPN TRANSISTOR ■MINIATURESOT-23PLASTICPACKAGE FORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■THEPNPCOMPLEMENTARYTYPEIS MMBT3906 APPLICATIONS ■WELLSUITABLEFORPORTABLE EQUIPMENT ■SMALLLOADSWITCH	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MMBT3904	文件：265.1 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICON GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

详细参数

型号：
KST3904MTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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