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KXT5401	文件：39.9 Kbytes Page：1 Pages	SurfaceMountPNPSiliconTransistor Features ●Highcurrent(max.500mA). ●Lowvoltage(max.150V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LBS5401	文件：112.67 Kbytes Page：1 Pages	SAWFilterElectricalCharacteristic	SIPATSIPAT Co,Ltd 胜普电子重庆胜普电子有限公司	SIPAT
LBS5401	文件：113.5 Kbytes Page：1 Pages	SAWFilterElectricalCharacteristic	SIPATSIPAT Co,Ltd 胜普电子重庆胜普电子有限公司	SIPAT
LMH5401	文件：3.65796 Mbytes Page：56 Pages	8-GHz,Low-Noise,Low-Power,Fully-DifferentialAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMH5401	文件：1.43056 Mbytes Page：51 Pages	6.5-GHz,Low-Noise,Low-Power,Gain-ConfigurableFullyDifferentialAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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LMH5401EVMCVAL	文件：1.43056 Mbytes Page：51 Pages	6.5-GHz,Low-Noise,Low-Power,Gain-ConfigurableFullyDifferentialAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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详细参数

型号：
KST5401MTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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