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MMBT3904	文件：146.62 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT3904	文件：98 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEAPPLIATION GENERALPURPOSEAPPLIATION ■FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PD(MAX)=350mW *ComplementarytoUTCMMBT3906	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT3904	文件：100.83 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MMBT3904	文件：205.71 Kbytes Page：3 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorfor SwitchingandAmplifierApplications •RoHScompliance	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
MMBT3904	文件：261.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable (MMBT3906). ●CollectorCurrentCapabilityICM=200mA. ●Collector-emitterVoltageVCEO=40V. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT3904	文件：110.58 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=200mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRohsenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3904	文件：139.13 Kbytes Page：2 Pages	0.2WattsNPNPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3904	文件：362.25 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor NPNSiliconGeneralPurposeTransistor forswitchingandamplifierapplications. AscomplementarytypesthePNPtransistors MMBT3906isrecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT3904	文件：114.35 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3904	文件：309.63 Kbytes Page：6 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

详细参数

型号：
KST3904MTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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