| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT23 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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SAMSUNG/三星SOT-23 |
18000 |
97+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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SAMSUNGSOT-23 |
18000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA |
59963 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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ONSEMINA |
51000 |
2020 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
49400 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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SAMSANGSOT-23SC- |
256800 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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SAMSUNGSOT-23 |
35689 |
1923+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDSOT-23 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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SAMSUNGSOT-23 |
13200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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SAMSUNGSOT-23 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SOT-23NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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KEC面议 |
19 |
6000 |
SOT-23 |
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深圳市莱克讯科技有限公司7年
留言
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SAMSUNGSOT-23SC-59 |
56787 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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SAMSUNG/三星SOT-23 |
45000 |
23+ |
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热卖优势现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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SAMSUNG |
5632 |
2016+ |
只做进口原装正品!现货或者订货一周货期!只要要网上有 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDSOT-23 |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
45980 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36400 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
KST55采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
KST55图片
KST5551MTF价格
KST5551MTF价格：￥0.1245品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的KST5551MTF多少钱，想知道KST5551MTF价格是多少？参考价：￥0.1245。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，KST5551MTF批发价格及采购报价，KST5551MTF销售排行榜及行情走势，KST5551MTF报价。
KST55TF中文资料Alldatasheet PDF
更多KST55制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Driver Transistor
KST5550MTF功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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KST5551MTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KST55MTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KST55MTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
