KSH31C-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.2V(Max)@IC=3A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

KSH31CTF

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK

KSH31CTM

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK

KSH31TF

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 40V 3A DPAK