Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier

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ISC

无锡固电

NPN Epitaxial Silicon Transistor

•用于表面贴装应用的引脚排列（无后缀）\n•直引脚（I-PAK，“-I”后缀）\n•电气特性类似于流行的 TIP32 和 TIP32C\n•通用放大器和低速开关应用;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 40V 3A DPAK

ONSEMI

安森美半导体