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KSD288	文件：42.45 Kbytes Page：4 Pages	Power Regulator Low Frequency High Power Amplifier Power Regulator Low Frequency High Power Amplifier • Collector-Base Voltage : VCBO=80V • Collector Dissipation : PC=25W(TC=25°C) 文件：42.45 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSD288	文件：50.21 Kbytes Page：4 Pages	Power Regulator Low Frequency High Power Amplifier 文件：50.21 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSD288	文件：142.98 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：142.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSD288	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Regulator Low Frequency High Power Amplifier	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSD288Y	文件：50.21 Kbytes Page：4 Pages	Power Regulator Low Frequency High Power Amplifier 文件：50.21 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSD288OTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 55V 3A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSD288W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 55V 3A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSD288WTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 55V 3A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
KSD288
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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