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KSD568

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Low Speed Switching Industrial Use • Complement to KSB707/708

文件:42.7 Kbytes 页数:4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD568

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:143.79 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

KSD568OTU

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 7A TO220-3

ONSEMI

安森美半导体

KSD568RTU

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 7A TO220-3

ONSEMI

安森美半导体

KSD568YTU

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 7A TO220-3

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    KSD568

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC3133,2SD404,2SD568,2SD1359,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-92

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    7

  • wtest:

    40

详细参数

  • 型号:

    KSD568

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多KSD568供应商 更新时间2026-1-18 15:30:00