| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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5年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
3000000 |
2028 |
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KSD288KSD288 KSD288 |
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17年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
8866 |
24+ |
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6年
留言
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JD/晶导SOD-323 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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14年
留言
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FAIRCTO-220 |
16800 |
26+ |
原装现货 |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
13000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
15000 |
26+ |
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8年
留言
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FSCTO220 |
9000 |
19+ |
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8年
留言
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onsemiTO-220-3 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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SAMSUNG-三星TO-220-3 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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7年
留言
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ON-安森美TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
80 |
23+ |
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11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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15年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
5825 |
2602+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
26800 |
2526+ |
只做原装正品,为客户做到零风险 |
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2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
20000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
13000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
12888 |
26+ |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
KSD288采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
KSD288图片
KSD288YTU其他被动元件中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD288O功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD288OTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD288W功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD288WTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD288Y功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD288YTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD288YTU_Q功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
- 最大电流允许值:
3A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
2SC790,2SC1173,2SC1398,2SC1419,2SD325,2SD1353,2SD1354,2SD1369,
- 最大耗散功率:
25W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-92
- vtest:
0
- htest:
999900
- atest:
3
- wtest:
25






















