选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
3000000 |
2028 |
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KSD288KSD288 KSD288 |
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深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
留言
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FAIRCHILD |
35000 |
22+ |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FSCTO-220 |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCTO-220 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
8866 |
08+(pbfree) |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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JD/晶导SOD-323 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220 |
150 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36500 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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FAIRCTO-220 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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FSCTO220 |
9000 |
19+ |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
5825 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
33290 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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FAIRCHILD原厂原装 |
15051 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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SANSUNG面议 |
19 |
6000 |
TO-220 |
KSD288采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
KSD288图片
KSD2880中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD288O功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD288OTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD288W功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD288WTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD288Y功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD288YTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD288YTU_Q功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
- 最大电流允许值:
3A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
2SC790,2SC1173,2SC1398,2SC1419,2SD325,2SD1353,2SD1354,2SD1369,
- 最大耗散功率:
25W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-92
- vtest:
0
- htest:
999900
- atest:
3
- wtest:
25