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KSD5059	文件：103.66 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) • High Switching Speed • High Reliability APPLICATIONS • Designed for color monitor horizontal output applicaitions 文件：103.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSD5059	文件：68.42 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) • High Switching Speed • High Reliability APPLICATIONS • Designed for color monitor horizontal output applicaitions 文件：68.42 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
KSD5059	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin TO-92 Ammo	NJS 新泽西半导体	NJS
TSA5059	文件：151.84 Kbytes Page：24 Pages	2.7 GHz I2C-bus controlled low phase noise frequency synthesizer 文件：151.84 Kbytes 页数：24 Pages	PHI PHI	PHI
TSA5059A	文件：118.72 Kbytes Page：24 Pages	2.7 GHz I2C-bus controlled low phase noise frequency synthesizer 文件：118.72 Kbytes 页数：24 Pages	PHI PHI	PHI
TSA5059T	文件：151.84 Kbytes Page：24 Pages	2.7 GHz I2C-bus controlled low phase noise frequency synthesizer 文件：151.84 Kbytes 页数：24 Pages	PHI PHI	PHI

晶体管资料

型号：
KSD5059
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
电视（TV）_行输出（HA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1.5KV
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1885,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
图片代号：
B-33
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
6
wtest：
60

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.1A@3AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
20V
Maximum DC Collector Current：
5A
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
750mW
Maximum Transition Frequency：
150(Typ)MHz
Type：
NPN

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