| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
6年
留言
|
恩XPTO-220 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
|
12年
留言
|
FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
|
17年
留言
|
FAIRCHILDTO-220 |
8866 |
24+ |
||||
|
14年
留言
|
FAIRCTO-220 |
16800 |
26+ |
原装现货 |
|||
|
5年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-220 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
|
1年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-220 |
12888 |
26+ |
||||
|
9年
留言
|
FAIRCHILDTO-220 |
10000 |
16+ |
全新原装现货 |
|||
|
1年
留言
|
N/ATSSOP-14 |
10000 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
|||
|
14年
留言
|
FSCTO-220 |
6200 |
17+ |
||||
|
7年
留言
|
onsemiTO-220-3 |
11491 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
|
13年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-220 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
|||
|
13年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO220 |
22055 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
|
2年
留言
|
SS |
8000 |
26+ |
||||
|
8年
留言
|
onsemiTO-220-3 |
11543 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
6年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO220 |
673 |
23+ |
||||
|
6年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-220 |
55000 |
19+ |
||||
|
6年
留言
|
SSNA |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
7年
留言
|
ON-安森美TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
10年
留言
|
FSCSOP8 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
|
12年
留言
|
FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
KSD73采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
KSD73图片
KSD73YTU中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD73制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency High Power Amplifier
KSD73O功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD73Y功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD73YTSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD73YTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
- 最大电流允许值:
5A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
2SD124,2SD124A,2SD125,2SD125A,2SD174F,
- 最大耗散功率:
30W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-92
- vtest:
0
- htest:
999900
- atest:
5
- wtest:
30
























