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KSD2012

Low Frequency Power Amplifier

LowFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSB1366

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

KSD2012

Low Frequency Power Amplifier

LowFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSB1366

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

KSD2012GTU

Low Frequency Power Amplifier

LowFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSB1366

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

KSD2012GTU

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

KSD2012YTU

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

KSD2012YYDTU

Package:TO-220-3 全封装,成形引线;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    KSD2012

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-220F
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更多KSD2012供应商 更新时间2025-7-22 13:31:00