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KSD2012	文件：46.06 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Power Amplifier LowFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSB1366	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSD2012	文件：61.55 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Power Amplifier LowFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSB1366	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSD2012GTU	文件：61.55 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Power Amplifier LowFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSB1366	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSD2012GTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A TO220F-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KSD2012YTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A TO220F-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KSD2012YYDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 全封装，成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A TO220F-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KSM2012	文件：219.06 Kbytes Page：1 Pages	TUNINGFORKCRYSTAL Features 2padsceramicsurfacemountpackage. 2012sizeminiatureandlightweightSMDtuningforkcrystalresonatorwithalowprofileof0.60mm. Highreliableenvironmentalperformance. Automaticmountingandreflowsoldering. Applicationforvarietyofautomotive,Mobilecommunic	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技	AITSEMI
KSR2012	文件：30.55 Kbytes Page：1 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
KTA2012	文件：72.91 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING) SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ACollectorCurrentisLarge. •CollectorSaturationVoltageislow.:VCE(sat)≤-250mVatIC=-200mA/IB=-10mA. •ComplementarytoKTC4072V.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTA2012	文件：72.29 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING) SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ACollectorCurrentisLarge. •CollectorSaturationVoltageislow.:VCE(sat)≤-250mVatIC=-200mA/IB=-10mA. •ComplementarytoKTC4072E.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTA2012E	文件：72.29 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING) SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ACollectorCurrentisLarge. •CollectorSaturationVoltageislow.:VCE(sat)≤-250mVatIC=-200mA/IB=-10mA. •ComplementarytoKTC4072E.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTA2012V	文件：72.91 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING) SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ACollectorCurrentisLarge. •CollectorSaturationVoltageislow.:VCE(sat)≤-250mVatIC=-200mA/IB=-10mA. •ComplementarytoKTC4072V.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
L2012	文件：928.82 Kbytes Page：11 Pages	LiquidCrystalDisplayModules [SeikoInstrumentsGmbH] DotMatrixLiquidCrystalDisplayModules FEATURES: •Slim,lightweightandlowpowerconsumption •Highcontrastandwideviewingangle •Built-incontrollerforeasyinterfacing •LCDmoduleswithbuilt-inELorLEDbacklight	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
LB2012	文件：289.51 Kbytes Page：13 Pages	WIRE-WOUNDCHIPINDUCTORS(LBSERIES)	TAIYO-YUDENTaiyo Yuden (U.S.A.), Inc 太阳诱电太阳诱电株式会社	TAIYO-YUDEN
LBC2012	文件：289.51 Kbytes Page：13 Pages	WIRE-WOUNDCHIPINDUCTORS(LBSERIES)	TAIYO-YUDENTaiyo Yuden (U.S.A.), Inc 太阳诱电太阳诱电株式会社	TAIYO-YUDEN
LBD2012-XX	文件：110.05 Kbytes Page：7 Pages	LIGHTBARLEDDISPLAY	LIGITEK Ligitek electronic	LIGITEK
LBR2012	文件：289.51 Kbytes Page：13 Pages	WIRE-WOUNDCHIPINDUCTORS(LBSERIES)	TAIYO-YUDENTaiyo Yuden (U.S.A.), Inc 太阳诱电太阳诱电株式会社	TAIYO-YUDEN
LL2012-F	文件：196.12 Kbytes Page：2 Pages	MultilayerChipInductors DESCRIPTION TheLL2012-FSeriesisaminiaturemultilayerceramicchipinductorinastandard0805package.TokosproprietarylaminatedceramicmaterialprovideshighSRF,excellentQ,andsuperiorreliability.Theseinductorsareanidealsolutionforsignalshaping,orRFfilteringforhighfre	Toko Toko Inc.	Toko
LL2012FHL	文件：378.78 Kbytes Page：2 Pages	MultilayerChipInductors TheLL2012-FHLSeriesisamultilayerceramicchipinductorwithanEIAstandard0805footprint,lead-freeterminations,andexpandedelectricalspecificationswithrespecttoinductanceandQ. Features •Inductancerange:1.5-680nH(E-12Series) •Miniaturesize:0805footprint(2mmx	Toko Toko Inc.	Toko
LL2012-FHL	文件：536.91 Kbytes Page：6 Pages	MultilayerChipInductors TheLL2012-FHLSeriesisamultilayerceramicchipinductorwithanEIAstandard0805footprint,lead-freeterminations,andexpandedelectricalspecificationswithrespecttoinductanceandQ. Features •Inductancerange:1.5-680nH(E-12Series) •Miniaturesize:0805footprint(2mmx	Toko Toko Inc.	Toko

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详细参数

型号：
KSD2012
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	KSD2012	FAIRCHILD	08+(pbfree)	TO-220F	8866		询价
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