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KSD2012GTU

Low Frequency Power Amplifier

LowFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSB1366

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

KSD2012GTU

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

KSM2012

TUNINGFORKCRYSTAL

Features 2padsceramicsurfacemountpackage. 2012sizeminiatureandlightweightSMDtuningforkcrystalresonatorwithalowprofileof0.60mm. Highreliableenvironmentalperformance. Automaticmountingandreflowsoldering. Applicationforvarietyofautomotive,Mobilecommunic

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

KSR2012

PNP(SWITCHINGAPPLICATION)

SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

KTA2012

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING)

SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ACollectorCurrentisLarge. •CollectorSaturationVoltageislow.:VCE(sat)≤-250mVatIC=-200mA/IB=-10mA. •ComplementarytoKTC4072E.

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

产品属性

  • 产品编号:

    KSD2012GTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

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更多KSD2012GTU供应商 更新时间2025-7-31 8:12:00