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KSD2012数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

KSD2012

参数属性

KSD2012 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

功能描述

NPN外延硅晶体管
TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:02:00

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KSD2012规格书详情

特性 Features

• 低频功率放大器
•KSB1366 补充器件
•低频功率放大器

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSD2012属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSD2012晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KSD2012

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1

  • IC Cont. (A)

    :3

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :7

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1

  • hFE Min

    :150

  • hFE Max

    :320

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :25

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

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