KSD1616A中文资料NPN 外延硅晶体管数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
KSD1616A |
参数属性 | KSD1616A 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1A TO92-3 |
功能描述 | NPN 外延硅晶体管 |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 15:01:00 |
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KSD1616A规格书详情
特性 Features
• 低频放大器和中速开关
• KSB116 / KSB1116A 补充器件
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KSD1616A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSD1616A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:KSD1616A
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.3
- IC Cont. (A)
:1
- VCEO Min (V)
:60
- VCBO (V)
:120
- VEBO (V)
:6
- VBE(sat) (V)
:1.2
- VBE(on) (V)
:0.7
- hFE Min
:135
- hFE Max
:270
- fT Min (MHz)
:100
- PTM Max (W)
:0.75
- Package Type
:TO-92-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BLUE ROCKET(蓝箭) |
2447 |
TO-92 |
105000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
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2402+ |
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询价 | ||
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23+ |
原包装原封 □□ |
3572 |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
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TO-92 |
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询价 | |||
ONSEMI |
23+ |
双极型晶体管 |
5864 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-92-3 |
2000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-92-3 |
18000 |
原装正品 |
询价 |