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KSD1692中文资料NPN硅达林顿晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

KSD1692

参数属性

KSD1692 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3

功能描述

NPN硅达林顿晶体管
TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:10:00

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KSD1692规格书详情

特性 Features

•高DC电流增益
•低集电极饱和电压
•在E-C处内置一个阻尼二极管
•高功耗:PC= 1.3 W (Ta=25°C)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSD1692属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSD1692晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KSD1692

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1.2

  • IC Cont. (A)

    :3

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :150

  • VEBO (V)

    :8

  • VBE(sat) (V)

    :2

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :4000

  • hFE Max

    :12000

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :15

  • Package Type

    :TO-126-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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