KSD1692中文资料NPN硅达林顿晶体管数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
KSD1692 |
参数属性 | KSD1692 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3 |
功能描述 | NPN硅达林顿晶体管 |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 11:10:00 |
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KSD1692规格书详情
特性 Features
•高DC电流增益
•低集电极饱和电压
•在E-C处内置一个阻尼二极管
•高功耗:PC= 1.3 W (Ta=25°C)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KSD1692属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSD1692晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:KSD1692
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1.2
- IC Cont. (A)
:3
- VCEO Min (V)
:100
- VCBO (V)
:150
- VEBO (V)
:8
- VBE(sat) (V)
:2
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:4000
- hFE Max
:12000
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:15
- Package Type
:TO-126-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
TO-126 |
13000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
69820 |
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CJ/长电 |
24+ |
TO-126 |
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ON/安森美 |
25+ |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
KEC |
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TO-92 |
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ONSEMI |
两年内 |
N/A |
28000 |
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询价 |