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KSD1692	文件：50.07 Kbytes Page：4 Pages	Feature Feature • High Dc Durrent Gain • Low Collector Saturation Voltage • Built-in a Damper Diode at E-C • High Power Dissipation : PC= 1.3W (Ta=25°C) 文件：50.07 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSD1692	文件：55.54 Kbytes Page：4 Pages	High Dc Durrent Gain Feature • High Dc Durrent Gain • Low Collector Saturation Voltage • Built-in a Damper Diode at E-C • High Power Dissipation : PC= 1.3W (Ta=25°C) 文件：55.54 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSD1692	文件：263.79 Kbytes Page：7 Pages	NPN (HIGH DC CURRENT GAIN LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE BUILT-IN A DAMPER DIODE AT E-C) NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR HIGH DC CURRENT GAIN LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE BUILT-IN A DAMPER DIODE AT E-C HIGH POWER DISSIPATION : PT = 1.3 W (Ta=25°C) 文件：263.79 Kbytes 页数：7 Pages	Samsung 三星	Samsung
KSD1692	文件：396.5 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High DC Current Gain ● Low Collector Saturation Voltage ● High Power Dissipation 文件：396.5 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
KSD1692	文件：300 bytes Page：1 Pages	通用三极管	Lujing 鲁晶	Lujing
KSD1692	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-126 Bipolar Junction Transistors	LISION 力神	LISION
KSD1692	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
KSD1692YS	文件：55.54 Kbytes Page：4 Pages	High Dc Durrent Gain Feature • High Dc Durrent Gain • Low Collector Saturation Voltage • Built-in a Damper Diode at E-C • High Power Dissipation : PC= 1.3W (Ta=25°C) 文件：55.54 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSD1692YS	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.2
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
150
VEBO (V)：
8
VBE(sat) (V)：
2
hFE Min：
4000
hFE Max：
12000
PTM Max (W)：
15
Package Type：
TO-126-3

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更多KSD1692供应商更新时间2025-12-12 17:15:00

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