KSD1692分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
KSD1692 |
| 参数属性 | KSD1692 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3 |
| 功能描述 | NPN (HIGH DC CURRENT GAIN LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE BUILT-IN A DAMPER DIODE AT E-C) |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
263.79 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Samsung semiconductor |
| 企业简称 |
SAMSUNG【三星】 |
| 中文名称 | 三星半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 15:30:00 |
| 人工找货 | KSD1692价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
KSD1692规格书详情
NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
HIGH DC CURRENT GAIN
LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE
BUILT-IN A DAMPER DIODE AT E-C
HIGH POWER DISSIPATION : PT = 1.3 W (Ta=25°C)
产品属性
- 产品编号：
KSD1692YS
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 1.5mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
4000 @ 1.5A，2V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F |
8866 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-126 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-126-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FSC |
1738+ |
TO-126 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
2000 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO126 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
KEC |
1042+ |
SOT23 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 |
