| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDSOT-89 |
12500 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT89 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
555940 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCSOT-89 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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FAIRCSOT-89 |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SOT-89NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-89 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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FAIRCHILDSOT-89 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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FAIRC面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-89 |
20000 |
23+ |
原装正品 欢迎咨询 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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KECSOT-89 |
30000 |
08+ |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-89 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-89 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILDSOT-89 |
35689 |
1923+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-89 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-89 |
555940 |
23+ |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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SAMSUNGSOT-89 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDSOT-89 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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FAIRCHILDSOT-89 |
63000 |
23+ |
原装正品现货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
45980 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
KSD1621采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
KSD1621图片
KSD1621中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD1621制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Current Driver Applications
KSD1621_05制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
KSD1621RTF功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1621RTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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KSD1621UTF功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/25V/2A/280-560 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1621UTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/25V/2A/280-560 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
