| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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CJ/长电TO-126C |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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ONTO-126 |
22200 |
1904 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
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FairchildTO125 |
19700 |
2019 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
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ON/安森美NA |
35000 |
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我司100%原装正品现货,现货众多欢迎加微信 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
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ONTO-126 |
30000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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FSCTO-126 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)TO-126 |
1552 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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标准国际(香港)有限公司16年
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ONSEMINA |
11520 |
2021 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
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FAIRCHILD/仙童TO126 |
9800 |
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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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长电TO-126 |
9000 |
24+ |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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长电TO-126 |
11000 |
22+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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KECTO-126 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
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长电TO-126C |
24593 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市近平电子有限公司8年
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FAIRC面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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FAIRCHILD/仙童TO-126 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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FAIRCTO-126 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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长电TO-126C |
115600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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长电TO-126 |
2400 |
2021 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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CJ/长电TO-126 |
30000 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FSCTO-126 |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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KSD1691GSTU价格
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KSD1691YSTU
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更多KSD1691制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Feature
KSD1691GS功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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KSD1691OSTU功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A TO-126 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
KSD1691SY
KSD1691YS功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1691YSTSSTU制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
KSD1691YSTSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Epitaxial Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1691YSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
- 最大电流允许值：
5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
2SD1691,
- 最大耗散功率：
20W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-100
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
5
- wtest：
20
