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KSD1691GS	文件：52.87 Kbytes Page：5 Pages	Low Collector-Emtter Saturation Voltage & Large Collector Current Feature • Low Collector-Emtter Saturation Voltage & Large Collector Current • High Power Dissipation: PC = 1.3W (Ta=25°C) • Complementary to KSB1151 文件：52.87 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSD1691GS	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 5A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSD1691GSTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 5A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSD1691OS	文件：52.87 Kbytes Page：5 Pages	Low Collector-Emtter Saturation Voltage & Large Collector Current Feature • Low Collector-Emtter Saturation Voltage & Large Collector Current • High Power Dissipation: PC = 1.3W (Ta=25°C) • Complementary to KSB1151 文件：52.87 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSD1691-TU	文件：1.1107 Mbytes Page：3 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage & Large Collector Current High Power Dissipation: PC = 1.3W (Ta=25°C) 文件：1.1107 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
KSD1691YS	文件：52.87 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Feature • Low Collector-Emtter Saturation Voltage & Large Collector Current • High Power Dissipation: PC = 1.3W (Ta=25°C) • Complementary to KSB1151 文件：52.87 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

产品属性

产品编号：
KSD1691GS
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2A，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126-3
描述：
TRANS NPN 60V 5A TO126-3

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