选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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ONSEMINA |
11520 |
2021 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO126 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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ONTO-126 |
30000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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ONTO-126 |
22200 |
1904 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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ON/安森美NA |
35000 |
22+ |
我司100%原装正品现货,现货众多欢迎加微信 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FSCTO-126 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)TO-126 |
1552 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-126 |
2317 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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FSCTO-126 |
320 |
17+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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3886 |
2310+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILDNA |
9852 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTORNA |
2000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/FAIRCHLLDNA/ |
3750 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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利广微科技(深圳)有限公司2年
留言
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR标准封装 |
57598 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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onsemiNA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO126 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTORN/A |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA |
6500 |
22+ |
只做原装正品现货!假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/FAIRCHLLDTO-126F |
504544 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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KSD1691YS中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD1691YS功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1691YSTSSTU制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
KSD1691YSTSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Epitaxial Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1691YSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
KSD1691YS
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
160 @ 2A,1V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126-3
- 描述:
TRANS NPN 60V 5A TO126-3