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KSE44H11	文件：300.36 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO= 80V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 60(Min)@ (VCE= 1V, IC= 2A) ·Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ (IC= 8A, IB= 0.4A) ·Complement to Type KSE45H11 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and re 文件：300.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSE44H11	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 10A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSE44H11TU	文件：46.65 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Power Switching Applications General Purpose Power Switching Applications • Low Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat) = 1V (Max.) @ 8A • Fast Switching Speeds • Complement to KSE45H 文件：46.65 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSE44H11TU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 10A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KSE44H11供应商更新时间2025-11-19 15:11:00